| 发明名称 | LiNbO<sub>3</sub>/SiO<sub>2</sub>/金刚石多层压电膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及LiNbO3/SiO2/金刚石多层压电膜及其制备方法，有效解决SAW器件的温度稳定性和高c轴取向LiNbO3薄膜制备问题，技术方案是，在金刚石衬底和LiNbO3压电薄膜之间引入非晶SiO2缓冲层，其制备方法是，首先在金刚石衬底上以硅作靶材，用脉冲激光沉积法将非晶SiO2沉积在金刚石衬底上，构成非晶SiO2缓冲层；再将制备好的非晶SiO2/金刚石衬底升温，以LiNbO3为靶材，用脉冲激光将LiNbO3沉积在非晶SiO2缓冲层上，构成LiNbO3压电薄膜层和金刚石衬底之间有非晶SiO2缓冲层的复合压电薄膜；LiNbO3压电薄膜层沉积后，降温至18-25℃，本发明结构简单，方法先进、科学，提高SAW器件工作频率，温度稳定性高。 | ||
| 申请公布号 | CN101777622B | 申请公布日期 | 2011.09.14 |
| 申请号 | CN201010030152.8 | 申请日期 | 2010.01.12 |
| 申请人 | 郑州大学 | 发明人 | 王新昌;田四方;王俊喜;贾建峰 |
| 分类号 | H01L41/083(2006.01)I;H01L41/22(2006.01)I | 主分类号 | H01L41/083(2006.01)I |
| 代理机构 | 郑州天阳专利事务所(普通合伙) 41113 | 代理人 | 聂孟民 |
| 主权项 | 一种LiNbO3/SiO2/金刚石多层压电膜的制备方法，其特征在于，在金刚石衬底和LiNbO3压电薄膜之间引入非晶SiO2缓冲层，其制备方法是，首先在200‑400℃的金刚石衬底上以硅作靶材，用脉冲激光沉积法将非晶SiO2沉积在金刚石衬底上，构成非晶SiO2缓冲层，非晶SiO2缓冲层厚度为0.05‑0.6μm；再将制备好的非晶SiO2/金刚石衬底升温至600‑750℃，以LiNbO3为靶材，用脉冲激光将LiNbO3沉积在非晶SiO2缓冲层上，LiNbO3沉积厚度为0.2‑3μm，构成LiNbO3压电薄膜层和金刚石衬底之间有非晶SiO2缓冲层的复合压电薄膜，SiO2和LiNbO3分别在脉冲激光沉积过程中，均需通入99.99％的高纯氧气，氧压为15‑70Pa，激光单脉冲能量密度为3.0‑4.5J/cm2，靶材与衬底之间的距离为3.5‑6.0cm；LiNbO3压电薄膜层沉积后，在30‑70Pa的99.99％高纯氧气中降温至室温18‑25℃，制备的LiNbO3薄膜为高c轴取向薄膜。 | ||
| 地址 | 450001 河南省郑州市高新技术开发区科学大道100号 | ||