| 发明名称 | 一种III族氮化物发光二极管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种III族氮化物发光二极管及其制作方法，发光二极管包括衬底(1)以及层叠于衬底上的半导体外延叠层，该半导体外延叠层由下至上依次包括N型层(2)、发光层(3)和P型层(4)，其特征在于，部分半导体外延叠层通过刻蚀，在N型层(2)中形成一N型层台面，该N型层台面上设置N型电极(7)；在P型层(4)未刻蚀部分的上表面设置有P型电极(6)；所述N型层(2)还包含有掺杂浓度一致的均匀掺杂层(2a)和掺杂浓度变化的调制掺杂层(2b),调制掺杂层(2b)设于均匀掺杂层(2a)和发光层(3)之间。本发明可以显著改善晶体质量和发光均匀性，提高光效，并提高了器件的可靠性，延长器件寿命。 | ||
| 申请公布号 | CN102185062A | 申请公布日期 | 2011.09.14 |
| 申请号 | CN201110087979.7 | 申请日期 | 2011.04.08 |
| 申请人 | 中山大学 | 发明人 | 王钢;江灏;郑致远 |
| 分类号 | H01L33/14(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/14(2010.01)I |
| 代理机构 | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人 | 禹小明 |
| 主权项 | 一种III族氮化物发光二极管，包括衬底(1)以及层叠于衬底上的半导体外延叠层，该半导体外延叠层由下至上依次包括N型层(2)、发光层(3)和P型层(4)，其特征在于，部分半导体外延叠层通过刻蚀，在N型层(2)中形成一N型层台面，该N型层台面上设置N型电极(7)；在P型层(4)未刻蚀部分的上表面设置有P型电极(6)； 所述N型层(2)包括掺杂浓度一致的均匀掺杂层(2a)和掺杂浓度变化的调制掺杂层(2b),调制掺杂层(2b)设于均匀掺杂层(2a)和发光层(3)之间。 | ||
| 地址 | 510275 广东省广州市新港西路135号 | ||