发明名称 含咔唑单元的有机半导体材料及合成
摘要 含咔唑单元的有机半导体材料及其合成为一种含咔唑单元的有机半导体材料及其制备方法,并将该类材料应用于有机平板显示、有机光伏电池、有机光存储、有机场效应管、化学与生物传感和有机激光等有机电子领域,该材料是在咔唑单元1,8位引入取代基的化合物材料,具有如下结构:该材料具有:(1)合成方便易得并能灵活修饰;(2)能够有效地实现调制材料的光电性质;和(3)高热稳定性和玻璃化温度等优点。可以预期,该类材料将成为有商业化潜力的光电功能材料。
申请公布号 CN101139317B 申请公布日期 2011.09.07
申请号 CN200710022361.6 申请日期 2007.05.15
申请人 南京邮电大学 发明人 黄维;解令海
分类号 C07D209/86(2006.01)I;C07D413/14(2006.01)I;C07D417/14(2006.01)I;C07D405/14(2006.01)I;C09K11/06(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I 主分类号 C07D209/86(2006.01)I
代理机构 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人 叶连生
主权项 1.一种含咔唑单元的有机半导体材料,其具体为如下分子式结构:<img file="DEST_PATH_FSB00000528931200011.GIF" wi="1815" he="1139" />
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