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一种量子井混合方法，其包含下列步骤：提供一半导体基板；于该半导体基板上依序堆叠形成一第一半导体层、一发光层及一第二半导体层，以形成一磊晶片，其中该发光层具有至少一量子井层；于该第二半导体层之一表面形成数个缺陷；于该表面上形成一绝缘层，且该绝缘层具有数个缺陷；使该量子井层之数个原子、该第二半导体层之缺陷及该绝缘层之缺陷交互扩散并混合，使该些缺陷与该些原子交互扩散，以便调整量子井层之能阶结构，藉此提高发光波长蓝移量。依申请专利范围第1项所述之量子井混合方法，其中使该量子井层之数个原子、该第二半导体层之缺陷及该绝缘层之缺陷交互扩散并混合之步骤系利用高温回火方式达成。依申请专利范围第2项所述之量子井混合方法，其中该高温回火之温度为摄氏650~800度。依申请专利范围第1项所述之量子井混合方法，其中该第二半导体层之表面系利用乾式蚀刻方式形成该缺陷。依申请专利范围第4项所述之量子井混合方法，其中该乾式蚀刻方式系为感应式耦合电浆性蚀刻。依申请专利范围第1项所述之量子井混合方法，其中该第二半导体层之表面系利用溅镀方式形成该绝缘层。依申请专利范围第6项所述之量子井混合方法，其中该溅镀方式较佳系设定为功率200瓦，通入流量为22.5气体质量流量单位的氩气和2.5气体质量流量单位的氧气，溅镀过程中腔体压力维持在6毫托，溅镀时间为30分钟，沉积厚度为300奈米的二氧化矽绝缘层。依申请专利范围第1项所述之量子井混合方法，其中该发光层另具有二能障层，该二能障层分别位于该发光层邻近该第一半导体层及一第二半导体层之处。依申请专利范围第1项所述之量子井混合方法，其中该量子井层之材料系选自InxGa1－xAsyP1－y及InxGa1－xAs之一，且该x、y、1－x及1－y均大于0。依申请专利范围第1项所述之量子井混合方法，其中该些能障层之之材料系选自InxGa1－xAsyP1－y及InxGa1－x－yAlyAs之一，且该x、y、1－x、1－y、1－x－y均大于0。依申请专利范围第1项所述之量子井混合方法，另包含将该第二半导体层表面之该缺陷及该绝缘层去除之步骤，以进一步进行后续制程。依申请专利范围第1项所述之量子井混合方法，其中该绝缘层之材料系为二氧化矽。依申请专利范围第1项所述之量子井混合方法，其中该绝缘层之厚度为300nm。依申请专利范围第1项所述之量子井混合方法，其中该第二半导体层之材料为InxGa1－xAsyP1－y，其厚度为1800至2000奈米，且该x、y、1－x及1－y均大于0。依申请专利范围第1项所述之量子井混合方法，其中该第二半导体层之材料为InxGa1－x－yAlyAs，其厚度为1000奈米，且该x、y、1－x－y均大于0。 |
