| 发明名称 | 横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法。根据本发明的横向双扩散金属氧化物半导体器件制造方法包括：第一离子注入步骤，用于进行离子注入以形成第一源极区域以及第一漏极区域；栅极氧化物层沉积步骤，用于在第一源极区域以及第一漏极区域之间沉积栅极氧化物层；多晶硅栅极形成步骤，用于在栅极氧化物层上形成多晶硅栅极；以及第二离子注入步骤，用于再次进行离子注入以形成第二源极区域以及第二漏极区域。通过采用根据本发明的横向双扩散金属氧化物半导体器件制造方法，使得衬底电流由于两次有源区离子注入而得到了改善。 | ||
| 申请公布号 | CN102157385A | 申请公布日期 | 2011.08.17 |
| 申请号 | CN201110061744.0 | 申请日期 | 2011.03.15 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 令海阳 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种横向双扩散金属氧化物半导体器件制造方法，其特征在于包括：第一离子注入步骤，用于进行离子注入以形成第一源极区域以及第一漏极区域；栅极氧化物层沉积步骤，用于在第一源极区域以及第一漏极区域之间沉积栅极氧化物层；多晶硅栅极形成步骤，用于在栅极氧化物层上形成多晶硅栅极；以及第二离子注入步骤，用于再次进行离子注入以形成第二源极区域以及第二漏极区域。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||