| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置，包含一具有一顶部表面的中介物，及一凸块位于此中介物的顶部表面上。一开口，自此中介物的顶部表面延伸至此中介物中。一第一裸片与此凸块接合。一第二裸片，位于此中介物的开口中，并与此第一裸片及此第二裸片接合。本发明可避免因形成硅穿孔所导致的良率损失，并可缩短所需的制造周期。 | ||
| 申请公布号 | CN102148220A | 申请公布日期 | 2011.08.10 |
| 申请号 | CN201110031017.X | 申请日期 | 2011.01.25 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 胡宪斌;余振华;赖隽仁;陈明发 |
| 分类号 | H01L25/00(2006.01)I;H01L25/065(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张浴月;刘文意 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：一中介物，包含一顶部表面；一第一凸块，位于该中介物的顶部表面上；一开口，自该顶部表面延伸至该中介物中；一第一裸片，与该第一凸块接合；以及一第二裸片，位于该开口中并与该第一裸片接合。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||