半导体发光元件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体发光元件及其制造方法。在n型GaN衬底（10）上形成有半导体层叠结构（12）。在半导体层叠结构（12）的上部形成有脊部（26）。沟道部（28）与脊部（26）相邻。平台部（30）与沟道部（28）的脊部（26）的相反侧相邻。第一绝缘膜（32）覆盖沟道部（28）。第一绝缘膜（32）在脊部（26）以及平台部（30）上具有开口。在第一绝缘膜（32）上形成有单层粘接层（34）。Pd电极（36）覆盖脊部（26）以及单层粘接层（34）的一部分，并且与脊部（26）的p型GaN接触层（24）连接。第二绝缘膜（38）覆盖单层粘接层（34）的未被Pd电极（36）覆盖的部分以及平台部（30）。

主权项

一种半导体发光元件，其特征在于，具有：半导体衬底；半导体层叠结构，具有在所述半导体衬底上依次层叠的第一导电型半导体层、活性层、第二导电型半导体层以及接触层；脊部，形成在所述半导体层叠结构的上部；沟道部，与所述脊部相邻；平台部，与所述沟道部的所述脊部的相反侧相邻；第一绝缘膜，覆盖所述沟道部并且在所述脊部以及所述平台部上具有开口；单层粘接层，形成在所述第一绝缘膜上；Pd电极，覆盖所述脊部以及所述单层粘接层的一部分并且与所述脊部的所述接触层连接；第二绝缘膜，覆盖所述单层粘接层的未被所述Pd电极覆盖的部分以及所述平台部。