一种在氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构及制备方法

摘要

本专利公开了一种在氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构及制备方法，AlN材料结构包括：一衬底；一AlN缓冲层；一本征型AlN层。通过先在本征型AlN上生长欧姆接触电极结构：钒金属层/铝金属层/钒金属层/金金属层，厚度依次为15～25μm/50～100μm/15～25μm/50～100μm；然后进行In离子注入，注入剂量大于1×10 14cm -2，能量大于150keV；并进行高温退火激活工艺，制备出AlN材料上的欧姆接触。AlN欧姆接触的实现，有助于解决日盲型材料的欧姆接触问题，提高日盲器件的性能；并解决了制备高性能真空紫外响应器件的瓶颈。

主权项

一种在氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构，其特征在于：在依次生长有厚度为0.1～2微米未掺杂的低温AlN层和厚度为0.4微米的本征型AlN的衬底(1)上通过电子束蒸发依次制作厚度为15～25μm的钒金属层(3)，厚度为50～100μm的铝金属层(4)，厚度为15～25μm的钒金属层(5)，厚度为50～100μm的金金属层(6)，形成欧姆接触电极。