发明名称 |
Verfahren und System für die Fotolithografie |
摘要 |
Verfahren zum Verbessern der Maßgenauigkeit in einem fotolithografischen System, umfassend die folgenden Schritte: – Bereitstellen einer Layoutstruktur (40) mit mehreren Strukturelementen (44) mit jeweils einer durch einen Nennwert (42) beschriebenen charakteristischen Strukturmerkmalsgröße; – Bereitstellen einer Fotomaske (10) mit einer Maskenstruktur (12) entsprechend der Layoutstruktur (40); – Bereitstellen einer fotolithografischen Vorrichtung (5) mit einer Lichtquelle (14), die in der Lage ist, die Fotomaske (10) aufzunehmen; – Projizieren der Maskenstruktur (12) auf eine Fotolackschicht (20) auf einer Oberfläche (24) eines Substrats (22) unter Verwendung der fotolithografischen Vorrichtung (5); – Ausbilden einer Lackstruktur (20) mit mehreren Strukturelemente (54) entsprechend der Layoutstruktur (40), wobei jedes der Strukturelemente (54) mindestens eine charakteristische Strukturmerkmalsgröße (50) aufweist; – Bestimmen von Schwankungen der mindestens einen charakteristischen Strukturmerkmalsgröße (50) der Strukturelemente (54) der Lackstruktur (20) im Vergleich zu den Nennwerten (42) der Strukturelemente der Layoutstruktur (40); – Aufteilen der Schwankungen der mindestens... |
申请公布号 |
DE112005003585(B4) |
申请公布日期 |
2011.07.28 |
申请号 |
DE20051103585T |
申请日期 |
2005.06.17 |
申请人 |
QIMONDA AG |
发明人 |
HENNIG, MARIO;MUELDERS, THOMAS;PFORR, RAINER, DR.;REICHELT, JENS |
分类号 |
G03F7/20;G02B5/20 |
主分类号 |
G03F7/20 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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