发明名称 Verfahren und System für die Fotolithografie
摘要 Verfahren zum Verbessern der Maßgenauigkeit in einem fotolithografischen System, umfassend die folgenden Schritte: – Bereitstellen einer Layoutstruktur (40) mit mehreren Strukturelementen (44) mit jeweils einer durch einen Nennwert (42) beschriebenen charakteristischen Strukturmerkmalsgröße; – Bereitstellen einer Fotomaske (10) mit einer Maskenstruktur (12) entsprechend der Layoutstruktur (40); – Bereitstellen einer fotolithografischen Vorrichtung (5) mit einer Lichtquelle (14), die in der Lage ist, die Fotomaske (10) aufzunehmen; – Projizieren der Maskenstruktur (12) auf eine Fotolackschicht (20) auf einer Oberfläche (24) eines Substrats (22) unter Verwendung der fotolithografischen Vorrichtung (5); – Ausbilden einer Lackstruktur (20) mit mehreren Strukturelemente (54) entsprechend der Layoutstruktur (40), wobei jedes der Strukturelemente (54) mindestens eine charakteristische Strukturmerkmalsgröße (50) aufweist; – Bestimmen von Schwankungen der mindestens einen charakteristischen Strukturmerkmalsgröße (50) der Strukturelemente (54) der Lackstruktur (20) im Vergleich zu den Nennwerten (42) der Strukturelemente der Layoutstruktur (40); – Aufteilen der Schwankungen der mindestens...
申请公布号 DE112005003585(B4) 申请公布日期 2011.07.28
申请号 DE20051103585T 申请日期 2005.06.17
申请人 QIMONDA AG 发明人 HENNIG, MARIO;MUELDERS, THOMAS;PFORR, RAINER, DR.;REICHELT, JENS
分类号 G03F7/20;G02B5/20 主分类号 G03F7/20
代理机构 代理人
主权项
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