发明名称 Hochfrequenzoszillator der zweiten Harmonischen
摘要 Ein Hochfrequenzoszillator der zweiten Harmonischen umfasst einen Transistor (16), eine erste Signalleitung (30), die an einem Ende mit der Basis oder dem Gate des Transistors verbunden ist, einen ersten Nebenschlusskondensator (34), der an einem Ende mit dem anderen Ende der ersten Signalleitung verbunden ist und am anderen Ende geerdet ist, eine zweite Signalleitung (32), welche an einem Ende mit dem Kollektor oder dem Drain des Transistors verbunden ist, einen zweiten Nebenschlusskondensator (36), der an einem Ende mit dem anderen Ende der zweiten Signalleitung verbunden ist und am anderen Ende geerdet ist, und einen Kondensator (38) hoher Kapazität, welcher zwischen der ersten Signalleitung und der zweiten Signalleitung eingebunden ist. Die erste Signalleitung weist eine Länge auf, die gleich einer Wellenlänge zwischen einem ungeradzahligen Vielfachen eines Viertels der Wellenlänge des Grundsignals plus und minus einem Sechzehntel der Wellenlänge des Grundsignals liegt.
申请公布号 DE102011002725(A1) 申请公布日期 2011.07.21
申请号 DE201110002725 申请日期 2011.01.14
申请人 MITSUBISHI ELECTRIC CORP. 发明人 WATANABE, SHINSUKE;TSUKAHARA, YOSHIHIRO;KANAYA, KO;MIWA, SHINICHI
分类号 H03B5/18;G01S7/03 主分类号 H03B5/18
代理机构 代理人
主权项
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