| 发明名称 | LDMOS的埋层 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种LDMOS的埋层，在衬底(10)和外延层(13)之间具有多个埋层结构(11a)，这些埋层结构(11a)在水平方向上相互间隔。本发明将传统LDMOS的整个为一块的埋层(11)变为多块相互间隔的埋层结构(11a)，这些埋层结构仍然保持了隔离器件的效果，又可以降低漂移区表面电场，从而提高LDMOS器件的击穿电压。并且本发明没有增加LDMOS器件的导通电阻，对于现有的BCD工艺也不做改变，因而不会对其他双极器件和CMOS器件造成影响。 | ||
| 申请公布号 | CN102130164A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN201010027289.8 | 申请日期 | 2010.01.18 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 张帅;遇寒 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 顾继光 |
| 主权项 | 一种LDMOS的埋层，其特征是，在衬底(10)和外延层(13)之间具有多个埋层结构(11a)，这些埋层结构(11a)在水平方向上相互间隔。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||