发明名称 CMOS图像传感器的光电转换器
摘要 本发明公开了一种CMOS图像传感器的光电转换器,包括电源,重置晶体管,源跟随晶体管和光电二极管,电源与重置晶体管的漏极相连接,重置晶体管的源极与光电二极管的阴极相连接,光电二极管的阳极接地,源跟随管的栅极与光电二极管的阴极相连接,同时与重置晶体管的源极相连接,源跟随管的漏极与电源相连接,源跟随管的源极与BL相连接,时序控制信号与电源相连接,光电转换器的电源在时序控制信号作用下得到初始化信号,并进行信号采集和转换。本发明能降低制造成本,提高芯片的集成程度,节省待机功耗。
申请公布号 CN101742131B 申请公布日期 2011.07.20
申请号 CN200810044005.9 申请日期 2008.11.25
申请人 上海华虹NEC电子有限公司 发明人 陈华伦;陈雄斌;陈瑜;熊涛;罗啸
分类号 H04N5/374(2011.01)I;H04N5/3745(2011.01)I 主分类号 H04N5/374(2011.01)I
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人 丁纪铁
主权项 一种CMOS图像传感器的光电转换器,其特征在于,包括电源,重置晶体管,源跟随晶体管和光电二极管,电源与重置晶体管的漏极相连接,重置晶体管的源极与光电二极管的阴极相连接,光电二极管的阳极接地,源跟随管的栅极与光电二极管的阴极相连接,同时与重置晶体管的源极相连接,源跟随管的漏极与电源相连接,源跟随管的源极与位线相连接,行选择控制逻辑电路与电源相连接,光电转换器的电源在时序控制信号作用下得到初始化信号,光电二极管中结电容使光电转换器的电位变为最高,源跟随管的电位也变为最高,随后重置晶体管在时序电路的控制下关闭,使光电转换器与源跟随器的电位与其它电路电隔离,并保持不变,当光电转换器接受光照,激发光电转换器产生电子将光电转换器与源跟随器的电位变低,光照前或者光照过程中行选择控制逻辑电路关闭电源,此时源跟随管没有信号输出,光照时间满足时序电路预设时间时,行选择逻辑再次把电源打开,源跟随器的栅极电位与光电转换器相同,漏端即为电源电压,根据光电转换器的电位输出不同的电流,信号采集完毕后,重置管再次打开,重复上述过程进行下一个采样周期。
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