一种具有多掩模的光刻机硅片台系统

摘要

一种具有多掩模的光刻机硅片台系统，该系统含有基台，至少一个硅片台，一组光学透镜和掩模台系统。掩模台系统包括掩模台基座、掩模运动台和掩模承载台，所述的掩模台基座的长边为Y方向，短边为X方向；掩模运动台在掩模台基座上沿Y方向作直线运动，掩模承载台在掩模运动台上沿X方向作直线运动；在所述的掩模承载台上沿X方向至少设置两个掩模版安装槽和两个掩模版，每个掩模版安装槽内放置一个掩模版。本发明对现有光刻机掩模台系统改进后，更换掩模后可以减少一次对准的时间，此外，在曝光过程中还节省了一次步进的时间，降低了成本，进而提高了光刻机的曝光效率。

主权项

一种具有多掩模的光刻机硅片台系统，该系统含有基台(1)，至少一个硅片台，一组光学透镜(4)和掩模台系统，其特征在于：所述的掩模台系统包括掩模台基座(5)、掩模运动台(6)和掩模承载台(7)，所述的掩模台基座(5)的长边为Y方向，短边为X方向，掩模运动台(6)在掩模台基座(5)上沿Y方向作直线运动，掩模承载台(7)在掩模运动台(6)上沿X方向作直线运动；在所述的掩模承载台(7)上沿X方向至少设置两个掩模版安装槽，每个掩模版安装槽内放置一个掩模版；在进行扫描曝光工序时，根据硅片的尺寸，预先在待刻硅片上划分出若干区域，每个这样的区域称为一个场，在曝光每一个场的过程中，首先，掩模运动台(6)沿着Y方向向右运动，所述至少两个掩模版(8a，8b)同时到达投影区，掩模承载台(7)沿X方向运动使第一掩模版(8a)位于投影区，首先第一掩模版(8a)被扫描，同时一曝光硅片台(3)做与掩模运动台(6)的反向运动，沿着Y方向向左运动，此时，第一掩模版(8a)的图案刻在硅片上，掩模运动台(6)减速反向，所述曝光硅片台(3)减速反向；然后，掩模运动台(6)沿着Y方向向左运动，掩模承载台(7)沿X方向运动使第二掩模版(8b)位于投影区，此时第二掩模版(8b)被扫描，同时所述曝光硅片台(3)仍做与掩模运动台(6)的反向运动，沿着Y方向向右运动，此时第二掩模版(8b)的图案刻在硅片上，掩模运动台(6)减速反向，所述曝光硅片台(3)减速反向；然后，同样依次扫描其它掩膜版，使其它掩膜版的图案刻在硅片上，所述至少两个掩模版在同一个场都扫描完成后，所述曝光硅片台(3)步进至下一场继续曝光，并依次循环曝光其它场。