| 发明名称 | 基于紫外线吸收的监测器和对氯化物气流的控制 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体生长系统，所述半导体生长系统包括室和电磁辐射源。设置检测器以检测由所述反应室的氯化物类化学物质对来自所述源的辐射的吸收。控制系统响应于所述氯化物类化学物质对辐射的吸收来控制对所述室的操作。所述控制系统通过调节所述反应室的参数来控制所述室的操作。 | ||
| 申请公布号 | CN102131957A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN200980132889.6 | 申请日期 | 2009.07.21 |
| 申请人 | 硅绝缘体技术有限公司 | 发明人 | 罗纳德·托马斯·小伯特伦;尚塔尔·艾尔纳;克里斯蒂安·J·韦尔克霍芬;迈克尔·艾伯特·蒂施勒;瓦西尔·沃尔萨;安德鲁·D·约翰逊 |
| 分类号 | C23C16/52(2006.01)I;C30B25/16(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I;C23C16/30(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/52(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 丁香兰;庞东成 |
| 主权项 | 一种半导体生长系统，所述半导体生长系统包括：室；电磁辐射源；设置来检测所述室的氯化物类化学物质对来自所述源的辐射的吸收的检测器；和响应于所述氯化物类化学物质对辐射的吸收来控制所述室的操作的控制系统。 | ||
| 地址 | 法国伯涅尼 | ||