| 主权项 |
一种电浆产生装置，用以对于一第一流体进行离子化，该电浆产生装置包括：至少一导引元件，包括一路径，该第一流体沿着该路径依序通过一第一位置与一第二位置；以及至少一电极元件，包括一第一电极与一第二电极，其中该第一电极于圆周上不完全包覆该导引元件，在该第一电极相对于该第一位置、该第二电极相对于该第二位置之下，该第一电极、该第二电极对于该第一位置与该第二位置之间的该第一流体进行激能后形成了一第二流体，该第一流体之能量状态系不同于该第二流体之能量状态。如申请专利范围第1项所述之电浆产生装置，其中，该第一电极与该第二电极之间存在有电位差。如申请专利范围第1项所述之电浆产生装置，其中，该导引元件包括一中空件，该路径系位于该中空件之内部。如申请专利范围第1项所述之电浆产生装置，其中，该第一电极、该第二电极具有完全相同的尺寸。如申请专利范围第1项所述之电浆产生装置，其中，该第一电极之尺寸系大于该第二电极之尺寸。如申请专利范围第1项所述之电浆产生装置，其中，该第一电极系环绕于该导引元件之外侧。如申请专利范围第1项所述之电浆产生装置，其中，该第二电极系环绕于该导引元件之外侧。如申请专利范围第1项所述之电浆产生装置，其中，该第一电极系局部环绕于该导引元件之外侧。如申请专利范围第8项所述之电浆产生装置，其中，该第一电极包括一C型结构。如申请专利范围第1项所述之电浆产生装置，其中，该第二电极系局部环绕于该导引元件之外侧。如申请专利范围第10项所述之电浆产生装置，其中，该第二电极包括一C型结构。如申请专利范围第1项所述之电浆产生装置，其中，该第一电极包括一第一槽结构，该第二电极包括一第二槽结构，该第一槽结构与该第二槽结构系相对于该路径而采用交错方式之排列。如申请专利范围第1项所述之电浆产生装置，更包括一供应装置，该供应装置系电性连接于该第一电极。如申请专利范围第13项所述之电浆产生装置，其中，该供应装置为一射频产生器。如申请专利范围第14项所述之电浆产生装置，其中，该射频产生器之频率为13.56 MHz或13.56 MHz之整数倍数之频率。如申请专利范围第13项所述之电浆产生装置，其中，该供应装置为一电源供应器。如申请专利范围第16项所述之电浆产生装置，其中，该电源供应器为一交流电产生器。如申请专利范围第17项所述之电浆产生装置，其中，该交流电产生器之频率为1MHz~100MHz。如申请专利范围第1项所述之电浆产生装置，其中，该导引元件更包括一第三位置，该第二流体系通过该第三位置，并且在该第三位置之该第二流体于实质上具有均匀能量分布曲线。如申请专利范围第1项所述之电浆产生装置，其中，该导引元件系由介电材料所制成。如申请专利范围第1项所述之电浆产生装置，其中，该第一电极系为一线圈结构。如申请专利范围第21项所述之电浆产生装置，其中，该线圈结构系设置于该导引元件之外部。如申请专利范围第1项所述之电浆产生装置，其中，该导引元件更包括一侧壁部与一埠结构，该埠结构形成于该侧壁部，并且该第二流体通过该埠结构。如申请专利范围第23项所述之电浆产生装置，其中，该埠结构为一开孔。一种处理系统，利用一第一流体对于一物件进行处理，该处理系统包括：一基座，用以承载该物件；以及一电浆产生装置，用以对于该第一流体进行离子化，该电浆产生装置包括：至少一导引元件，包括一路径，该第一流体沿着该路径依序通过一第一位置与一第二位置；以及至少一电极元件，包括一第一电极与一第二电极，其中该第一电极于圆周上不完全包覆该导引元件，在该第一电极相对于该第一位置、该第二电极相对于该第二位置之下，该第一电极、该第二电极对于该第一位置与该第二位置之间的该第一流体进行激能后形成了一第二流体，该第二流体系对于该基座上之该物件进行处理。如申请专利范围第25项所述之处理系统，其中，该第一电极与该第二电极之间存在有电位差。如申请专利范围第25项所述之处理系统，其中，该导引元件包括一中空件，该路径系位于该中空件之内部。如申请专利范围第25项所述之处理系统，其中，该第一电极、该第二电极具有完全相同的尺寸。如申请专利范围第25项所述之处理系统，其中，该第一电极之尺寸系大于该第二电极之尺寸。如申请专利范围第25项所述之处理系统，其中，该第一电极系环绕于该导引元件之外侧。如申请专利范围第25项所述之处理系统，其中，该第二电极系环绕于该导引元件之外侧。如申请专利范围第25项所述之处理系统，其中，该第一电极系局部环绕于该导引元件之外侧。如申请专利范围第32项所述之处理系统，其中，该第一电极包括一C型结构。如申请专利范围第25项所述之处理系统，其中，该第二电极系局部环绕于该导引元件之外侧。如申请专利范围第34项所述之处理系统，其中，该第二电极包括一C型结构。如申请专利范围第25项所述之处理系统，其中，该第一电极包括一第一槽结构，该第二电极包括一第二槽结构，该第一槽结构与该第二槽结构系相对于该路径而采用交错方式之排列。如申请专利范围第25项所述之处理系统，更包括一供应装置，该供应装置系电性连接于该第一电极。如申请专利范围第37项所述之处理系统，其中，该供应装置为一射频产生器。如申请专利范围第38项所述之处理系统，其中，该射频产生器之频率为13.56 MHz或13.56 MHz之整数倍数之频率。如申请专利范围第37项所述之处理系统，其中，该供应装置为一电源供应器。如申请专利范围第40项所述之处理系统，其中，该电源供应器为一交流电产生器。如申请专利范围第41项所述之处理系统，其中，该交流电产生器之频率为1MHz~100MHz。如申请专利范围第25项所述之处理系统，其中，该导引元件更包括一第三位置，该第二流体系通过该第三位置，并且在该第三位置之该第二流体于实质上具有均匀能量分布曲线。如申请专利范围第25项所述之处理系统，其中，该导引元件系由介电材料所制成。如申请专利范围第25项所述之处理系统，其中，该第一电极系为一线圈结构。如申请专利范围第45项所述之处理系统，其中，该线圈结构系设置于该导引元件之外部。如申请专利范围第25项所述之处理系统，其中，该导引元件更包括一侧壁部与一埠结构，该埠结构形成于该侧壁部，并且该第二流体经由该埠结构对于该物件进行处理。如申请专利范围第47项所述之处理系统，其中，该埠结构为一开孔。 |
