Optoelektronischer Halbleiterchip und Verwendung einer auf AIGaN basierenden Zwischenschicht

摘要

In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips (100) umfasst dieser eine auf GaN, InGaN, AlGaN und/oder InAlGaN basierende Halbleiterschichtenfolge (1). Die Halbleiterschichtenfolge (1) beinhaltet eine p-dotierte Schichtenfolge (2), eine n-dotierte Schichtenfolge (4) und eine aktive Zone (3), die sich zwischen der p-dotierten (2) und der n-dotierten Schichtenfolge (4) befindet. Weiterhin umfasst die Halbleiterschichtenfolge (1) zumindest eine auf AlxGa1-xN basierende Zwischenschicht (5), wobei 0 < x ≤ 1. Die Zwischenschicht (5) befindet sich an derselben Seite der aktiven Zone (3) wie die n-dotierte Schichtenfolge (4) und weist eine spezifische Chemikaliendurchlässigkeit gegenüber Flüssigkeiten mit kleiner Viskosität auf, die geringer ist als eine spezifische Chemikaliendurchlässigkeit von an die Zwischenschicht (5) angrenzenden Bereichen der Halbleiterschichtenfolge (1).