| 主权项 |
一种感测式半导体装置之制法，系包括：提供一包含有复数感测晶片之晶圆，该晶圆及感测晶片具有相对之主动面及非主动面，该主动面上设有感测区及复数焊垫，并于相邻感测晶片主动面之焊垫间形成复数凹槽；于该凹槽中填覆填充料，并于该填充料上形成第一导电线路，以电性连接相邻感测晶片之焊垫；于该晶圆上接置透光体，以遮盖该感测区，并薄化该晶圆非主动面至该凹槽，以外露出该填充料；将该晶圆以其非主动面而接置于一表面设有复数第二导电线路之承载板上，该第二导电线路系对应于该填充料位置；对应凹槽位置切割该透光体及晶圆至该第二导电线路，以形成第一开口；于该第一开口中之第二导电线路上形成金属层，并使该金属层电性连接相邻感测晶片之第一及第二导电线路；对应该第一开口中之金属层进行切割而形成第二开口，以分离相邻感测晶片之第一导电线路连接及第二导电线路连接，其中该第二开口之宽度系小于第一开口之宽度，以供各该感测晶片仍得透过部分金属层电性连接第一及第二导电线路；于该第二开口中填充绝缘材以封闭该金属层与第一及第二导电导路；以及移除该承载板，并沿该感测晶片间进行切割以分离各该感测晶片，以构成本发明之感测式半导体装置。如申请专利范围第1项之感测式半导体装置之制法，其中，该凹槽宽度大于第一开口宽度，该凹槽之宽度约为100 μ m，深度约为150 μ m，该第一开口宽度小于凹槽宽度约10至20 μ m，约为80 μ m，俾使第二导电线路显露于该第一开口，且部分填充料留置于该感测晶片侧边。如申请专利范围第1项之感测式半导体装置之制法，其中，该透光体为玻璃，并透过一黏着层而接置于该晶圆主动面上，藉以封闭并遮盖该感测区。如申请专利范围第1项之感测式半导体装置之制法，其中，该晶圆以其非主动面间隔一黏着层而黏置于承载板上，该承载板为金属材质，系透过电镀方式而于其表面形成复数第二导电线路。如申请专利范围第1项之感测式半导体装置之制法，其中，该金属层系透过金属材质之承载板及第二导电线路，以利用电镀方式而形成于外露出该第一开口中之第二导电线路上。如申请专利范围第1项之感测式半导体装置之制法，其中，该第二开口之宽度系小于第一开口之宽度约10至20 μ m，而约为60 μ m，俾使部分金属层留置于该感测晶片侧边上，以供各该感测晶片透过该金属层电性连接第一及第二导电线路。如申请专利范围第1项之感测式半导体装置之制法，复包括于该感测式半导体装置之底面覆盖一拒焊层，并使该拒焊层形成有开孔以外露出部分第二导电线路，俾于该外露之第二导电线路上植设导电元件。一种感测式半导体装置之制法，系包括：提供一包含有复数感测晶片之晶圆，该晶圆及感测晶片具有相对之主动面及非主动面，该主动面上设有感测区及复数焊垫，并于相邻感测晶片主动面之焊垫间形成复数凹槽；于该凹槽中填覆填充料，并于该填充料上形成第一导电线路，以电性连接相邻感测晶片之焊垫；于该晶圆上接置透光体，以遮盖该感测区，并薄化该晶圆非主动面至该凹槽，以外露出该填充料；沿该感测晶片间进行切割以分离各该感测晶片，其中该感测晶片侧边外露有第一导电线路及填充料；将该些感测晶片接置于一表面形成有复数导电线路之承载板上，且各该感测晶片间存在一间隙，该第二导电线路系位于相邻感测晶片间且显露于该间隙；于相邻感测晶片间隙中形成金属层，并使该金属层电性连接相邻感测晶片之第一及第二导电线路；对应该间隙中之金属层进行切割而形成有开口，以分离相邻感测晶片之第一导电线路连接及第二导电线路连接，其中该开口之宽度系小于间隙之宽度，以供各该感测晶片仍得透过部分金属层电性连接第一及第二导电线路；于该开口中填充绝缘材以封闭该金属层与第一及第二导电导路；以及移除该承载板并分离各该感测晶片，进而构成本发明之感测式半导体装置。如申请专利范围第8项之感测式半导体装置之制法，其中，该透光体为玻璃，并透过一黏着层而接置于该晶圆主动面上，藉以封闭并遮盖该感测区。如申请专利范围第8项之感测式半导体装置之制法，其中，该感测晶片以其非主动面间隔一黏着层而黏置于承载板上，该承载板为金属材质，系透过电镀方式而于其表面形成复数第二导电线路。如申请专利范围第8项之感测式半导体装置之制法，其中，该金属层系透过金属材质之承载板及第二导电线路，以利用电镀方式而形成于外露出该间隙之第二导电线路上。如申请专利范围第8项之感测式半导体装置之制法，复包括于该感测式半导体装置之底面覆盖一拒焊层，并使该拒焊层形成有开孔以外露出部分第二导电线路，俾于该外露之第二导电线路上植设导电元件。一种感测式半导体装置，系包括：感测晶片，系具有相对之主动面及非主动面，且于该主动面上形成有一感测区与复数焊垫；第一导电线路，系形成于该感测晶片主动面边缘且电性连接至该焊垫；第二导电线路，系形成于该感测晶片非主动面边缘；金属层，系形成于该感测晶片侧边，以电性连接该第一及第二导电线路；以及透光体，系接置于该感测晶片主动面且遮盖该感测区。如申请专利范围第13项之感测式半导体装置，复包括有设于该金属层与晶片侧边间之填充料。如申请专利范围第13项之感测式半导体装置，复包括有包覆该感测晶片与透光体侧边之绝缘材，藉以覆盖该金属层。如申请专利范围第13项之感测式半导体装置，复包括有覆盖该感测晶片非主动面之拒焊层，该拒焊层形成有开口以外露出部分第二导电线路；以及植设于该第二导电线路之导电元件。如申请专利范围第13项之感测式半导体装置，其中，该透光体为玻璃，并透过一黏着层而接置于该感测晶片主动面上，藉以封闭并遮盖该感测区。 |
