发明名称 |
提高有机硅聚合物裂解法制备碳化硅纳米材料纯度的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种提高有机硅聚合物裂解法制备碳化硅纳米材料纯度的方法,以模板法获得的聚硅烷纳米管为前驱体,然后将所述前驱体与聚氯乙烯或聚乙烯醇混合在一起,将得到的混合物置于管式炉中,通入氩气,以2℃/分的速率升温到1300-1600℃,恒温2小时,冷却,得到碳化硅和单质碳的混合物;将混合物在氧气或含氧气气氛下,以2℃/分的速率升温到850℃,恒温2小时,冷却,得到高纯度碳化硅纳米管。本发明操作简单,最大限度的保持了纳米结构的原始特性,所制备的碳化硅纳米材料纯度高,产物收率高,有良好的应用前景。 |
申请公布号 |
CN101696011B |
申请公布日期 |
2011.06.29 |
申请号 |
CN200910197788.9 |
申请日期 |
2009.10.28 |
申请人 |
上海应用技术学院 |
发明人 |
万传云 |
分类号 |
C01B31/36(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I |
主分类号 |
C01B31/36(2006.01)I |
代理机构 |
上海申汇专利代理有限公司 31001 |
代理人 |
吴宝根 |
主权项 |
一种提高有机硅聚合物裂解法制备碳化硅纳米材料纯度的方法,以模板法获得的聚硅烷或聚硅氧烷纳米管为前驱体,然后按照下列步骤操作:A、将所述前驱体与聚氯乙烯或聚乙烯醇混合在一起,将得到的混合物置于管式炉中,通入氩气,以2℃/分的速率升温到1300‑1600℃,恒温2小时,冷却,得到碳化硅和单质碳的混合物;B、将上述碳化硅和单质碳的混合物在氧气或空气气氛下,以2℃/分的速率升温到850℃,恒温2小时,冷却,得到高纯度碳化硅纳米管。 |
地址 |
200235 上海市徐汇区漕宝路120号 |