发明名称 |
离子源清洁方法及其装置 |
摘要 |
在离子源腔室的清洁过程中,定位于所述离子源腔室外部的电极包含抑制插塞。当将清洁气体引入至所述源腔室中时,所述抑制插塞可与所述源腔室的提取孔啮合,以便调整所述腔室内的气压,从而经由等离子增强化学反应而增强腔室清洁。可在清洁过程期间调整所述源腔室孔与所述抑制插塞之间的气体传导率,以便提供最佳清洁条件并排出不当沉积物。 |
申请公布号 |
CN102113094A |
申请公布日期 |
2011.06.29 |
申请号 |
CN200980130611.5 |
申请日期 |
2009.06.18 |
申请人 |
瓦里安半导体设备公司 |
发明人 |
科斯特尔·拜洛;奎格·R·钱尼;艾利克·R·科布;本雄·具;威尔汉·P·普拉托 |
分类号 |
H01L21/265(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/265(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
臧建明 |
主权项 |
一种离子植入器,包括:离子源腔室,其具有内表面以及经由其而提取离子射束的孔,所述源腔室经组态而接收清洁气体,以便自所述内表面移除沉积物;电极,其定位于所述离子源腔室外部且接近所述孔,所述电极具有至少一槽,所述槽提供提取路径以供所述离子射束离开所述源腔室孔;以及抑制插塞,其安置于所述电极上但远离所述槽,所述电极经组态而相对于所述离子源孔位移,其中当所述电极处于第一位置时,所述抑制插塞允许所述离子射束经由未受抑制的所述槽而被提取,且当所述电极处于第二位置时,所述抑制插塞至少部分地抑制所述离子射束自所述源腔室孔的提取,从而增加所述腔室内的压力。 |
地址 |
美国麻萨诸塞州 |