发明名称 一种垂直沟道恒流二极管
摘要 本实用新型公开了一种垂直沟道恒流二极管。包括衬底,衬底上设有一层外延层,外延层上设有一组P+扩散区,在每个P+扩散区之间设有与负电极连接N+区,外延层的边缘设有绝缘层;衬底与正电极连接,外延层和P+扩散区与负电极连接。本实用新型是一种可获得不同恒定电流物理特性产品。可提供较大的正向恒定电流,具有恒电流启动电压低,高速,高反向电压的电物理特性。采用半导体PN结空间电荷区可控制的方法实现沟道电阻的自动调节。实现了用恒流二极管直接驱动恒流负载的目的。由于不需要通过电子线路就可为恒流负载提供大恒流源,简化了结构,缩小了体积,提高了可靠性。
申请公布号 CN201877434U 申请公布日期 2011.06.22
申请号 CN201020636313.3 申请日期 2010.12.01
申请人 贵州煜立电子科技有限公司 发明人 刘桥
分类号 H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 主分类号 H01L29/861(2006.01)I
代理机构 贵阳中新专利商标事务所 52100 代理人 刘楠
主权项 一种垂直沟道恒流二极管,其特征在于:包括衬底(4),衬底(4)上设有一层外延层(3),外延层(3)上设有一组P+扩散区(6),在每个P+扩散区(6)之间设有与负电极(1)连接N+ 区(7),外延层(3)的边缘设有绝缘层(2);衬底(4)与正电极(5)连接,外延层(3)和P+扩散区(6)与负电极(1)连接。
地址 550001 贵州省贵阳市云岩区中华中路金凤凰大厦8楼