| 主权项 |
一种半导体结构，包含：一绝缘体覆SiGe基板，其包含一位于一绝缘层顶上之经拉伸应变之SiGe合金层；及一在该经拉伸应变之SiGe合金层的顶上之应变Si层。如请求项1之半导体结构，其中该绝缘层包含氧化物、氮化物、氮氧化物或其任何组合。如请求项2之半导体结构，其中该绝缘层为氧化物。如请求项1之半导体结构，其中该绝缘层具有一约1奈米至约1000奈米之厚度。如请求项1之半导体结构，其中该经拉伸应变之SiGe合金层包含约1.0原子%至约99原子%之Ge。如请求项1之半导体结构，其中该经拉伸应变之SiGe合金具有一约5奈米至约300奈米之厚度。如请求项1之半导体结构，其进一步包含在该经拉伸应变之SiGe合金层与该绝缘层之间的至少一第二半导体材料。如请求项7之半导体结构，其中该至少一第二半导体材料包含Si、SiGe、Ge、GaAs、InAs、InP或其他III/V及II/VI化合物半导体。如请求项1之半导体结构，其进一步包含一在该绝缘层之下的基板。如请求项9之半导体结构，其中该基板包含Si、SiGe、Ge、GaAs、InAs、InP或其他III/V及II/VI化合物半导体。如请求项1之半导体结构，其进一步包含位于该应变Si层上之至少一场效电晶体。一种形成一半导体结构之方法，其包含以下步骤：形成一第一多层结构，其包含位于一松弛SiGe合金层上之至少一经拉伸应变之SiGe合金层，其中该经拉伸应变之SiGe合金比该松弛SiGe合金层含有一更低的Ge含量；在与该松弛SiGe合金层相对之一表面上将该第一多层结构结合至一第二多层结构之一绝缘层；及移除该松弛SiGe合金层。如请求项12之方法，其中该第一多层结构进一步包括一在该经拉伸应变之SiGe合金层与该松弛SiGe合金层之间的应变Si层。如请求项12之方法，其中该经拉伸应变之SiGe合金系藉由磊晶成长形成。如请求项13之方法，其中该应变Si层经受一双向拉伸应变。如请求项12之方法，其中该结合包含使该第一多层结构与该第二多层结构接触。如请求项16之方法，其进一步包含在该接触期间施加一外力至该第一及第二多层结构。如请求项16之方法，其中该接触在约15℃至约40℃之一温度下或在高于40℃之一温度下发生。如请求项16之方法，其进一步包含一在该接触后之退火步骤。如请求项12之方法，其中该移除该松弛SiGe合金层包含化学机械抛光、晶圆分裂、化学蚀刻或一其组合。如请求项12之方法，其进一步包含在该移除该松弛SiGe合金层之后于该经拉伸应变之SiGe合金的顶上形成一应变Si层。如请求项21之方法，其进一步包含于该应变Si层上形成至少一场效电晶体。如请求项13之方法，其进一步包含在该移除该松弛SiGe合金层之后于该应变Si层上形成至少一场效电晶体。如请求项12之方法，其中该第二多层结构包括至少一基板。一种形成一半导体结构之方法，其包含以下步骤：形成一第一多层结构，该第一多层结构包含一经拉伸应变之SiGe合金层及一位于一松弛SiGe合金层上方之应变Si层，其中该经拉伸应变之SiGe合金比该松弛SiGe合金层含有一更低的Ge含量；在与该松弛SiGe合金层相对的一表面上将该第一多层结构结合至一第二多层结构之一绝缘层；及移除该松弛SiGe合金层以曝露该应变Si之一表面。如请求项25之方法，其进一步包含于该应变Si层之该曝露表面上形成至少一场效电晶体。 |
