OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND PHOTONIC CRYSTAL

摘要

In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) beinhaltet dieses wenigstens eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit mindestens einer aktiven Schicht (3) sowie zumindest einen photonischen Kristall (4) zur Einkopplung oder zur Auskopplung einer von der mindestens einen aktiven Schicht (3) zu erzeugenden oder zu empfangenden Strahlung aus der oder in die Halbleiterschichtenfolge (2). Die Strahlung weist eine Scheitelwellenlänge (lambda 0) auf. Der photonische Kristall (4) ist von der aktiven Schicht (3) beabstandet und durch eine Überlagerung von mindestens zwei Gittern (41, 42) mit voneinander verschiedenen, auf die Scheitelwellenlänge (lambda 0) normierten, reziproken Gitterkonstanten gebildet.