| 发明名称 | 吸附晶片装置 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及半导体领域，具体为一种吸附晶片装置，应用于半导体制程中对晶片吸附传递，解决现有技术中存在的晶片传递过程中，吸附晶片不牢固等问题。该装置设有机械手指、吸附槽，吸附槽与真空孔连通，吸附槽与真空孔均嵌入机械手指表面，真空孔与机械手指内的真空通道连接，晶片放在机械手指上。以单孔吸真空的方式吸附力量小，加上厂务真空管路及设备真空管路有衰减，影响真空吸附晶片的稳定传递。本实用新型装置设有透气孔、E字吸附槽，通过设于真空孔旁连接的E字吸附槽加大对晶片的真空吸附力，同时增加透气孔可减小晶片与手指接触的阻力，可增大真空吸附力，增加晶片传递稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN201868408U | 申请公布日期 | 2011.06.15 |
| 申请号 | CN201020633791.9 | 申请日期 | 2010.11.30 |
| 申请人 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 发明人 | 孙东丰 |
| 分类号 | H01L21/683(2006.01)I;H01L21/677(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/683(2006.01)I |
| 代理机构 | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人 | 张志伟 |
| 主权项 | 一种吸附晶片装置，其特征在于：该装置设有机械手指、吸附槽，吸附槽与真空孔连通，吸附槽与真空孔均嵌入机械手指表面，真空孔与机械手指内的真空通道连接，晶片放在机械手指上。 | ||
| 地址 | 110168 辽宁省沈阳市浑南新区飞云路16号 | ||