| 发明名称 | 氮化镓基多波段探测器及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种氮化镓基多波段探测器，包括：一衬底；一短波段探测单元，包括：一第一宽带隙材料层生长在衬底上面一侧的三分之一处；一对第一背靠背肖特基电极生长在第一宽带隙材料层上；一中波段探测单元，包括：一第二宽带隙材料层生长在衬底上面中间的三分之一处；一第二中间带隙材料层生长在第二宽带隙材料层上；一对第二背靠背肖特基电极生长在第二中间带隙材料层上；一长波段探测单元，包括：一第三宽带隙材料层生长在衬底上面另一侧的三分之一处；一第三中间带隙材料层生长在第三宽带隙材料层上；一第三窄带隙材料层生长在第三中间带隙材料层上；一对第三背靠背肖特基电极生长在第三窄带隙材料层上。 | ||
| 申请公布号 | CN101626025B | 申请公布日期 | 2011.06.01 |
| 申请号 | CN200810116416.4 | 申请日期 | 2008.07.09 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 刘文宝;孙苋;赵德刚;刘宗顺;张书明;朱建军;杨辉 |
| 分类号 | H01L27/144(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/144(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种氮化镓基多波段探测器，其特征在于，包括：一衬底；一短波段探测单元，包括：一第一宽带隙材料层，该第一宽带隙材料层外延生长在衬底上面一侧的三分之一处；一对第一背靠背肖特基电极，该对第一背靠背肖特基电极生长在第一宽带隙材料层上；一中波段探测单元，包括：一第二宽带隙材料层，该第二宽带隙材料层外延生长在衬底上面中间的三分之一处，该第二宽带隙材料层与第一宽带隙材料层之间有一第一间隙；一第二中间带隙材料层，该第二中间带隙材料层外延生长在第二宽带隙材料层上；一对第二背靠背肖特基电极，该对第二背靠背肖特基电极生长在第二中间带隙材料层上；一长波段探测单元，包括：一第三宽带隙材料层，该第三宽带隙材料层外延生长在衬底上面另一侧的三分之一处，该第三宽带隙材料层与第二宽带隙材料层之间有一第二间隙；一第三中间带隙材料层，该第三中间带隙材料层生长在第三宽带隙材料层上；一第三窄带隙材料层，该第三窄带隙材料层生长在第三中间带隙材料层上；一对第三背靠背肖特基电极，该对第三背靠背肖特基电极生长在第三窄带隙材料层上。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||