发明名称 | 用于增加的像素填充因子的沟槽传输栅 | ||
摘要 | 一种图像传感器提供高可扩缩性(scalability)和减小的图像延迟。传感器包括第一成像像素,其具有形成于图像传感器的衬底中的第一光电二极管区域。传感器亦包括耦合至第一光电二极管区域的第一垂直转移晶体管。第一垂直转移晶体管可用以建立有源沟道。有源沟道通常沿着第一垂直转移晶体管的长度延伸且将第一光电二极管区域耦合至浮动扩散。 | ||
申请公布号 | CN102082152A | 申请公布日期 | 2011.06.01 |
申请号 | CN201010521560.3 | 申请日期 | 2010.10.19 |
申请人 | 美商豪威科技股份有限公司 | 发明人 | V·韦内齐亚;戴幸志;D·毛;H·E·罗兹 |
分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 姬利永 |
主权项 | 一种图像传感器,包括:第一成像像素,其具有置于所述图像传感器的衬底内的第一光电二极管区域;垂直转移晶体管,其沿着所述第一光电二极管区域的第一侧放置,所述垂直转移晶体管具有基本上平行于所述第一光电二极管区域的所述第一侧的纵向轴;以及第一浮动扩散区域,其沿着所述纵向轴放置于所述垂直转移晶体管的第一末端处,其中所述转移晶体管布置成在被启动时沿着所述垂直转移晶体管形成有源沟道,其中所述有源沟道平行于所述纵向轴,且其中所述有源沟道将所述第一光电二极管区域耦合至所述第一浮动扩散区域。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |