发明名称 |
基于硅通孔的三维晶圆叠层的键合方法 |
摘要 |
本发明描述了一个基于硅通孔的晶圆叠层的混合键合方法。具有图案的粘胶层将叠层内相邻晶圆连接在一起,同时硅通孔之间的焊接键合被用作晶圆叠层间的电信号互连。粘胶层上设计的图案用以排放焊接过程中产生的气体并消除应力。 |
申请公布号 |
CN101542701B |
申请公布日期 |
2011.05.25 |
申请号 |
CN200880000036.2 |
申请日期 |
2008.06.05 |
申请人 |
香港应用科技研究院有限公司 |
发明人 |
马薇;史训清;仲镇华 |
分类号 |
H01L21/50(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/50(2006.01)I |
代理机构 |
深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 |
代理人 |
江耀纯 |
主权项 |
一个形成晶圆叠层的方法,步骤包括:将多个晶圆叠放,每个所述晶圆具有至少一个硅通孔,焊料填充在硅通孔中并延伸至相邻晶圆的硅通孔处,晶圆首先被相邻晶圆之间的粘胶层键合在一起,并使所述叠层仅经历一次焊接过程,使所述硅通孔通过所述焊料达成电互连,其中所述粘胶层被图案化以定义从至少一些所述硅通孔延伸到一个叠层边缘的通道。 |
地址 |
中国香港新界沙田香港科学园科技大道西二号生物资讯中心三楼 |