| 发明名称 | 提高硅化学机械抛光效率的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种提高硅化学机械抛光效率的方法，在晶圆到达研磨垫后，进行硅化学机械抛光之前，采用刻蚀药液对晶圆进行表面处理。本发明能够完全去除硅表面自然产生的氧化膜或由于研磨液氧化形成的氧化膜(再工事情况下)，有效提高硅化学机械抛光效率。 | ||
| 申请公布号 | CN102074472A | 申请公布日期 | 2011.05.25 |
| 申请号 | CN200910201849.4 | 申请日期 | 2009.11.24 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 程晓华;方精训;邓镭 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01)I;H01L21/302(2006.01)I;B08B3/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 戴广志 |
| 主权项 | 一种提高硅化学机械抛光效率的方法，其特征在于：在晶圆到达研磨垫后，进行硅化学机械抛光之前，采用刻蚀药液对晶圆进行表面处理。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||