发明名称 |
一种铜铟镓硒太阳能电池的吸光层及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种铜铟镓硒太阳能电池的吸光层及其制造方法,利用溅镀法形成硫化亚铜层,并利用铜铟镓硒溶胶凝胶溶液,以浸泡、旋转、印刷或喷涂方式配合预干烘烤处理,形成多个铜铟镓硒堆栈层,接着利用快速升温热处理,将硫化亚铜层与铜铟镓硒堆栈层融合而形成铜铟镓硫硒吸光层,藉以构成具高光电转换效率以及高吸光率的铜铟镓硒太阳能电池。 |
申请公布号 |
CN102074592A |
申请公布日期 |
2011.05.25 |
申请号 |
CN200910223955.2 |
申请日期 |
2009.11.20 |
申请人 |
正峰新能源股份有限公司 |
发明人 |
庄泉龙 |
分类号 |
H01L31/032(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/042(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/032(2006.01)I |
代理机构 |
北京华夏博通专利事务所 11264 |
代理人 |
刘俊 |
主权项 |
一种铜铟镓硒太阳能电池的吸光层,其特征在于,该吸光层位于一金属层或一缓冲层上,该吸光层包括一含硫缓冲层以及一铜铟镓硒混合层,其中该铜铟镓硒混合层包括多个由铜、铟、镓以及硒所构成的化合物,该含硫缓冲层以及该铜铟镓硒混合层经一融合热处理而形成一铜铟镓硫硒吸光层。 |
地址 |
中国台湾桃园县 |