发明名称 Verfahren zur Herstellung von Halbleiterschichten
摘要 Ein Verfahren zum Herstellen von Halbleiterschichten in einer Beschichtungskammer (1) umfasst die Schritte: A) Auf ein Substrat (2) werden zumindest ein erstes Halbleitermaterial (3) und ein zweites Halbleitermaterial (4) aufgebracht, wobei das erste und zweite Halbleitermaterial (3, 4) unterschiedliche Zusammensetzungen aufweisen und das zweite Halbleitermaterial (4) auf dem ersten Halbleitermaterial (3) aufgebracht wird; und B) Nach dem Aufbringen des ersten und zweiten Halbleitermaterials (3, 4) wird das Substrat (2) aus der Beschichtungskammer (1) entfernt und Innenoberflächen (11) der Beschichtungskammer (1) werden vom zweiten Halbleitermaterial (4') mittels eines ersten Reinigungsverfahrens (5) gereinigt, wobei erstes Halbleitermaterial (3') auf den Innenoberflächen (11) verbleibt.
申请公布号 DE102009051347(A1) 申请公布日期 2011.05.12
申请号 DE200910051347 申请日期 2009.10.30
申请人 SUNFILM AG 发明人 SICHLER, STEFFEN;WEIGEL, SASCHA
分类号 H01L21/20;C23C14/34;C23C16/24;C23F4/00;H01L21/205 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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