| 发明名称 | 一种具有场发射性质的掺N的SiC纳米线的制备方法 | ||
| 摘要 | 一种具有场发射性能的掺N的SiC纳米线的制备方法，其包括以下具体步骤：(1)有机前驱体聚硅氮烷在保护气氛N2或Ar气气氛下，于260℃进行低温交联固化，得到非晶态固体，然后球磨粉碎；(2)将C基板在0.1～0.3mol/LFe(NO3)3或Co(NO3)2乙醇溶液中浸渍2～10s；(3)将粉碎得到的粉末置于石墨坩埚的底部，在其上方放置浸渍处理的C基板；(4)将石墨坩埚置于气氛烧结炉中，在Ar和N2不同比例的混合气氛保护下于1350～1550℃范围内进行高温热解，保温5～120min；(5)随炉冷却至室温，由此可在C基板上得到原位掺杂N的SiC纳米线。与已报道的没有掺杂的和掺Al的SiC纳米线阵列的场发射相比，本发明实现了掺N的具有优良场发射性能的SiC纳米线阵列的制备。 | ||
| 申请公布号 | CN102041554A | 申请公布日期 | 2011.05.04 |
| 申请号 | CN201110020858.0 | 申请日期 | 2011.01.19 |
| 申请人 | 青岛大学 | 发明人 | 张新霓;陈友强;龙云泽 |
| 分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C30B29/62(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种具有场发射性能的掺N的SiC纳米线的制备方法，其包括以下具体步骤：(1)有机前驱体聚硅氮烷在保护气氛N2或Ar气气氛下，于260℃进行低温交联固化，得到非晶态固体；(2)将非晶态固体在球磨机中进行球磨粉碎；(3)将C基板在0.1～0.3mol/LFe(NO3)3或Co(NO3)2乙醇溶液中浸渍2～10s(4)将粉碎得到的粉末置于石墨坩埚的底部，在其上方放置浸渍处理的C基板；(5)将石墨坩埚置于气氛烧结炉中，在Ar和N2不同比例的混合气氛保护下于1350～1550℃范围内进行高温热解，保温5～120min；(6)随炉冷却至室温，由此可在C基板上得到原位掺杂N的SiC纳米线；(7)将得到的原位掺杂N的SiC纳米线阵列进行场发射测试。 | ||
| 地址 | 266071 山东省青岛市崂山区香港东路7号 | ||