| 发明名称 | 一种新型的无带隙半导体材料 | ||
| 摘要 | 本公开文本提供了一种新型的无带隙半导体材料，该材料具有能够用电子能带结构来表征的电子特性，该电子能带结构包括针对第一电子自旋极化的价带部分VB1和导带部分CB1，以及针对第二电子自旋极化的价带部分VB2和导带部分CB2。价带部分VB1具有第一能级，并且CB1和CB2中的一个具有第二能级，该第一能级和该第二能级的位置使得在VB1与CB1和CB2中的所述一个之间进行无带隙电子跃迁是可能的，并且其中，该无带隙半导体材料被安排成使得在VB2与CB1和CB2中的另一个之间限定了带隙。 | ||
| 申请公布号 | CN102047428A | 申请公布日期 | 2011.05.04 |
| 申请号 | CN200980113359.7 | 申请日期 | 2009.03.12 |
| 申请人 | 卧龙岗大学 | 发明人 | 王晓临 |
| 分类号 | H01L29/66(2006.01)I;H01L49/00(2006.01)I;H01S3/14(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;H01S3/102(2006.01)I;H01S5/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人 | 杨勇;郑建晖 |
| 主权项 | 一种无带隙半导体材料，其具有能够用电子能带结构来表征的电子特性，该电子能带结构包括针对第一电子自旋极化的价带部分VB1和导带部分CB1，以及针对第二电子自旋极化的价带部分VB2和导带部分CB2；其中，VB1具有第一能级，并且CB1和CB2中的一个具有第二能级，该第一能级和该第二能级的位置使得在VB1与CB1和CB2中的所述一个之间进行无带隙电子跃迁是可能的，并且其中，该无带隙半导体材料被安排成使得在VB2与CB1和CB2中的另一个之间限定了带隙。 | ||
| 地址 | 澳大利亚新南威尔士州 | ||