| 发明名称 | 用于半导体晶片抛光的方法 | ||
| 摘要 | 一种用于抛光半导体晶片的方法，其使用包含结合在抛光垫中的研磨材料的抛光垫，并且提供碱性抛光剂，其中抛光过程中抛光剂的体积流速大于或等于5升/分钟，并且抛光剂在抛光剂回路中循环。 | ||
| 申请公布号 | CN102034697A | 申请公布日期 | 2011.04.27 |
| 申请号 | CN201010267932.4 | 申请日期 | 2010.08.30 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | J·施万德纳 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 过晓东;谭邦会 |
| 主权项 | 一种用于抛光半导体晶片的方法，该方法使用含结合在抛光垫中的研磨材料的抛光垫，并且提供碱性抛光剂，其中在抛光过程中所述抛光剂的体积流速大于或等于5升/分钟，并且该抛光剂在抛光剂回路中循环。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||