形成硅太阳能电池的方法

摘要

本发明提供了制造硅太阳能电池的方法，所述方法包括将铝浆施用并焙烧在硅片的背面上，所述铝浆包含氧化镁和/或能够在焙烧时氧化镁的镁化合物，所述硅片在其正面具有氮化硅减反射涂层且在其背面污染有氮化硅，所述铝浆在施用之后进行焙烧。

主权项

一种制造硅太阳能电池的方法，所述方法包括以下步骤：(i)将铝浆施用在硅片的背面上，所述硅片具有p‑型区域、n‑型区域和p‑n结，并且在其正面提供有氮化硅减反射涂层并且其背面污染有氮化硅，以及(ii)焙烧提供有所述铝浆的表面，从而使所述硅片达到700‑900℃的峰值温度，其中所述铝浆包含粒状铝、至少一种包含镁的添加剂、以及包含一种或多种有机溶剂的有机载体，所述包含镁的添加剂选自氧化镁、能够在步骤(ii)中焙烧时生成氧化镁的镁化合物以及它们的任何组合。