存储器的制作方法

摘要

本发明公开了一种存储器的制作方法：在半导体衬底上形成三层堆叠结构；在三层堆叠结构的表面依次形成第一多晶硅层和无机硬掩膜；在无机硬掩膜的表面涂布光阻胶层，曝光显影所述光阻胶层，曝光显影后的光阻胶层的开口为要在半导体衬底上制作STI的位置；以曝光显影后的光阻胶层和无机硬掩膜为掩膜，依次刻蚀第一多晶硅层、三层堆叠结构及半导体衬底，形成STI；去除无机硬掩膜后，在第一多晶硅层和STI的表面沉积第二多晶硅层；沿字线方向依次刻蚀第二多晶硅层、第一多晶硅层和三层堆叠结构，露出半导体衬底。该方法有效解决存储单元间的漏电和相邻存储单元之间的干扰问题，而且工艺制程简单易实现，提高了存储器的生产效率。

主权项

一种存储器的制作方法，该方法包括：在半导体衬底上依次形成介质层‑电荷捕获层‑介质层的三层堆叠结构；在三层堆叠结构的表面依次形成第一多晶硅层和无机硬掩膜；在无机硬掩膜的表面涂布光阻胶层，曝光显影所述光阻胶层，曝光显影后的光阻胶层的开口为要在半导体衬底上制作浅沟槽隔离区STI的位置；以曝光显影后的光阻胶层和无机硬掩膜为掩膜，依次刻蚀第一多晶硅层、三层堆叠结构及半导体衬底，形成STI；去除无机硬掩膜后，在第一多晶硅层和STI的表面沉积第二多晶硅层；沿字线方向依次刻蚀第二多晶硅层、第一多晶硅层和三层堆叠结构，显露出半导体衬底。