| 发明名称 | 自旋力矩转移磁性隧道结架构和集成 | ||
| 摘要 | 一种在半导体后段工艺(BEOL)工艺流程中用于磁性随机存取存储器(MRAM)的磁性隧道结(MTJ)装置包括：第一金属互连(401)，其用于与至少一个控制装置连通；以及第一电极(406)，其用于通过使用第一掩模形成于电介质钝化阻挡物(404)中的通路而耦合到所述第一金属互连。所述装置还包括耦合到所述第一电极的用于存储数据的MTJ堆叠(407、408、409)，所述MTJ堆叠的一部分具有基于第二掩模的横向尺寸。由所述第二掩模界定的所述部分在接触通路上方。第二电极(410)耦合到所述MTJ堆叠且也具有与由所述第二掩模界定的横向尺寸相同的横向尺寸。所述第一电极(406)和所述MTJ堆叠的一部分(407)由第三掩模界定。第二金属互连(415)耦合到所述第二电极和至少一个其它控制装置。 | ||
| 申请公布号 | CN102017208A | 申请公布日期 | 2011.04.13 |
| 申请号 | CN200980113890.4 | 申请日期 | 2009.04.20 |
| 申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | 升·H·康;李霞;顾时群;李康浩;朱晓春 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
| 主权项 | 一种用于磁性随机存取存储器(MRAM)装置的磁性隧道结(MTJ)装置，其包含：衬底，其具有第一金属互连；第一电介质钝化阻挡层，其形成于所述衬底上，所述第一电介质钝化阻挡层具有用第一掩模图案形成以暴露所述第一金属互连的第一接触通路；第一电极层，其形成于所述第一电介质钝化阻挡层和所述第一接触通路上，所述第一电极层与所述第一金属互连连通；固定磁化层，其形成于所述第一电极层上；隧道阻挡层，其形成于所述固定磁化层上；自由磁化层，其形成于所述隧道阻挡层上；第二电极层，其形成于所述自由磁化层上，至少所述第二电极层和所述自由磁化层具有基于第二掩模图案的形状且位于所述第一接触通路上方；以及第二电介质钝化阻挡层，其形成于所述固定磁化层上和所述隧道阻挡层、所述自由磁化层和所述第二电极层周围，所述第二电介质钝化阻挡层仅部分覆盖所述第二电极层，所述第二电介质钝化阻挡层和所述固定磁化层的至少第一部分具有基于第三掩模图案的形状。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||