光电二极管阵列、其制造方法和放射线检测器

摘要

在光电二极管阵列(1)中，将通过从被检测光的入射面侧变薄所形成的入射面侧凹部(7)排列成阵列状，将通过从入射面的相反面侧变薄对应于形成入射面侧凹部7的区域的区域所形成的相反面侧凹部(11)排列成阵列状。通过在相反面侧凹部11的底部形成pn结(3)，将pn结型的光电二极管排列成阵列状。

主权项

一种光电二极管阵列，其特征在于，配备：高浓度添加第1导电类型的杂质的半导体基板；连接于该半导体基板的被检测光的入射面的相反面侧设置的第1导电类型的半导体层；以及在该第1导电类型的半导体层的内部排列形成阵列状的第2导电类型的多个光检测层，所述半导体基板通过去除对应于所述光检测层的区域来形成栅格状，所述半导体基板与所述半导体层在相互连接的界面上结晶方位交叉。