| 发明名称 | 固体电解电容器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种抑制短路发生的固体电解电容器。本发明的固体电解电容器(100)具备：在表面形成电介质被膜(12)的阳极体(11)、和在电介质被膜(12)上形成的导电性高分子层(13)。导电性高分子层(13)至少具备：形成于电介质被膜(12)上的第一导电性高分子层(13A)、和形成于该第一导电性高分子层(13A)上的第二导电性高分子层(13B)。第一导电性高分子层(13A)中的硅烷化合物的浓度和第二导电性高分子层(13B)中的硅烷化合物的浓度不同。本发明还提供该固体电解电容器的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102005313A | 申请公布日期 | 2011.04.06 |
| 申请号 | CN201010268006.9 | 申请日期 | 2010.08.27 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社;佐贺三洋工业株式会社 | 发明人 | 山口伸幸;福地耕二;常住康宏 |
| 分类号 | H01G9/15(2006.01)I;H01G9/025(2006.01)I;H01G9/028(2006.01)I | 主分类号 | H01G9/15(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 刘建 |
| 主权项 | 一种固体电解电容器，其具备：在表面形成有电介质被膜(12)的阳极体(11)、和在所述电介质被膜(12)上形成的导电性高分子层(13)，其中，所述导电性高分子层(13)至少具备：在所述电介质被膜(12)上形成的第一导电性高分子层(13A)、和在该第一导电性高分子层(13A)上形成的第二导电性高分子层(13B)；所述第一导电性高分子层(13A)及所述第二导电性高分子层(13B)含有硅烷化合物；所述第一导电性高分子层(13A)中硅烷化合物的浓度和所述第二导电性高分子层(13B)中硅烷化合物的浓度不同。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府 | ||