| 摘要 |
In mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst dieses die Schritte: - Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (3) mit mindestens einer aktiven Schicht, - Bereitstellen eines einstückigen Konversionsmittelkörpers (5), wobei ein Matrixmaterial (50) unvollständig vernetzt und/oder ausgehärtet ist, und wobei der Konversionsmittelkörper (5) bei Raumtemperatur eine Härte zwischen einschließlich Shore A 0 und Shore A 35 und/oder eine Viskosität zwischen einschließlich 10 Pa·s und 150 Pa·s aufweist, - Aufbringen des Konversionsmittelkörpers (5) auf die Halbleiterschichtenfolge (3), so dass diese in direktem Kontakt zueinander stehen, und - Aushärten des Konversionsmittelkörpers (5), wobei nach dem Aushärten die Härte des Konversionsmittelkörpers (5) mindestens Shore A 30 und höchstens Shore D 80 beträgt. |
