发明名称 |
一种具有抗灰迹性能KTP晶体的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种具有抗灰迹性能KTP晶体的制备方法,具体为:1)将合成KTiOPO4晶体的原料KH2PO4和TiO2,合成K4P2O7(K4)溶剂的原料K2HPO4按配比相混合,使得化学反应后所得的KTiOPO4和K4P2O7的初始生长摩尔比为O.8左右;2)将混合原料装入铂金坩埚中,使溶液充满量为75%~85%;3)将铂金坩埚放入炉体中,设置炉内温度梯度为3℃/10cm~8℃/10cm,升温,使原料熔化反应,形成均匀稳定的高温溶液;4)在高温溶液中放入籽晶,以温度梯度1℃/100h~8℃/100h速度降温,在温度区间850℃~820℃生长出KTiOPO4晶体。本发明采用K4P2O7溶剂来制备KTP晶体,降低了KTP晶体的吸收系数,具有显著的抗灰迹性能,因此使得KTP的倍频转换效率进一步得到增强,并且显示了良好的耐电压和调制性能,也可作为电光晶体使用。 |
申请公布号 |
CN101319386B |
申请公布日期 |
2011.02.09 |
申请号 |
CN200810105715.8 |
申请日期 |
2008.04.30 |
申请人 |
烁光特晶科技有限公司 |
发明人 |
师瑞泽;肖亚波;葛世艳;王国影;高山虎;尹利君;王忠;何庭秋 |
分类号 |
C30B29/22(2006.01)I;C30B29/14(2006.01)I;C30B9/00(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/22(2006.01)I |
代理机构 |
北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 |
代理人 |
尹振启 |
主权项 |
一种具有抗灰迹性能KTP晶体的制备方法,具体为:1)将合成KTP溶质的原料KH2PO4和TiO2、合成K4助熔剂的原料K2HPO4相混合,使得高温化学反应后所得的初始溶液KTiOPO4和K4P2O7的摩尔比为0.8;合成KTP溶质和K4助熔剂的化学方程式为:K4助熔剂:2K2HPO4‑‑‑K4P2O7+H2OKTP晶体:KH2PO4+TiO2‑‑‑KTiOPO4+H2O2)将混合原料装入铂金坩埚中,使溶液充满量为75%~85%;3)将铂金坩埚放入炉体中,设置炉内温度梯度为3℃/10cm~8℃/10cm,升温到1000℃使原料熔化反应,并恒温搅拌24h,形成均匀稳定的高温溶液;4)在高温溶液中放入籽晶,以1℃/100h~8℃/100h速率降温,在溶液饱和度温度区间850℃~820℃生长出KTiOPO4晶体。 |
地址 |
100018 北京市朝阳区东坝红松园一号 |