发明名称 半导体芯片耐高压测试装置
摘要 半导体芯片耐高压测试装置。涉及一种防止半导体高压芯片测试时出现打火的测试装置。能避免检测时出现打火现象,进而提高检测精度。测试装置包括高压直流电源、检测仪表、承载被测芯片的测试台和测试针,所述测试装置还包括阻燃的保护气体管路,所述保护气体管路的出气口对应所述测试针的针尖位置。本实用新型在原有测试装置上增设了阻燃性的保护气体管路,阻燃气体(如:N2等)施放于测试针尖位置,在其周围形成一个保护环境,能有效避免打火现象的发生,进而避免打火对检测精度的影响,能提高半导体高压芯片的测试精度。本实用新型可有效防止半导体高压芯片测试时产生的打火现象,保证芯片测试的准确性。
申请公布号 CN201740845U 申请公布日期 2011.02.09
申请号 CN201020185398.8 申请日期 2010.05.11
申请人 扬州杰利半导体有限公司 发明人 汪良恩
分类号 G01R31/12(2006.01)I;G01R31/26(2006.01)I 主分类号 G01R31/12(2006.01)I
代理机构 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 代理人 奚衡宝
主权项 半导体芯片耐高压测试装置,所述测试装置包括高压直流电源、检测仪表、承载被测芯片的测试台和测试针,其特征在于,所述测试装置还包括阻燃的保护气体管路,所述保护气体管路的出气口对应所述测试针的针尖位置。
地址 225008 江苏省扬州市平山堂北路江阳创业园三期