| 发明名称 | 场氧化层形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭露了一种场氧化层形成方法，所述场氧化层形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成氧化层；在所述氧化层上形成图案化光阻层；利用去离子水清洗所述半导体衬底；以所述图案化光阻层为掩膜，湿法刻蚀所述氧化层，以形成场氧化层。本发明可有效减小场氧化层与半导体衬底之间的夹角，提高半导体器件的电性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101969027A | 申请公布日期 | 2011.02.09 |
| 申请号 | CN201010250535.6 | 申请日期 | 2010.08.11 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 郭国超 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种场氧化层形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成氧化层；在所述氧化层上形成图案化光阻层；利用去离子水清洗所述半导体衬底；以所述图案化光阻层为掩膜，湿法刻蚀所述氧化层，以形成场氧化层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技园区郭守敬路818号 | ||