| 发明名称 | 密封硅衬底中的过孔的材料和方法 | ||
| 摘要 | 利用无溶剂的、低粘滞度的、高度温度稳定的聚合物或者低粘滞度的高固体成份聚合物溶液来密封过孔，其中聚合材料在提高的温度下被注入过孔(100)。提供供给室(630)以在提高的温度下处理聚合材料，典型地足够高至使聚合材料液化的温度下。聚合材料经加热的供给管在来自泵、活塞或者保持在所述供给室内的真空的力量作用下被导入。 | ||
| 申请公布号 | CN101176203B | 申请公布日期 | 2011.02.09 |
| 申请号 | CN200680016231.5 | 申请日期 | 2006.05.12 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 约汉·A.·卡塞伊;迈克尔·伯格;莉娜·P.·布奇沃尔特;多纳尔德·F.·卡纳佩利;雷蒙德·R.·霍顿;阿努莱格·简恩;埃里克·D.·皮尔菲克托;詹姆斯·A.·托尔尼罗 |
| 分类号 | H01L23/22(2006.01)I;H01L23/24(2006.01)I;H01L23/04(2006.01)I;H01L23/14(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 一种半导体芯片封装组件，包括：衬底；至少一个半导体芯片；在所述衬底中的至少一个导电过孔，所述导电过孔具有至少一个露出端和填入其中的多孔材料；和回流并渗入所述至少一个导电过孔的所述多孔材料中、并密封所述多孔材料的密封剂。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||