一种化学冶金提纯多晶硅的方法

摘要

本发明一种化学冶金提纯多晶硅的方法属于用化学冶金提纯多晶硅的技术领域，特别涉及一种利用酸、碱等化学手段提纯硅到99.99％纯度的多晶硅的方法。利用扫描电镜观察、记录工业硅晶粒的大小，再将硅晶粒破碎到合适的程度，并用氢氧化钠溶液去除硅粉的氧化层及杂质铝，用浓度氢氟酸进行酸洗，去除金属复杂相；用水清洗直到溶液呈中性，得到高纯度的硅材料。这种提纯多晶硅的方法成本低、能耗小、操作简单、可行性高。

主权项

一种化学冶金提纯多晶硅的方法，其特征在于，利用扫描电镜观察、硅粉破碎的粒度按硅的晶粒大小而定，破碎到晶粒大小相配的量级可以有效的将杂质暴露在硅粒表面并用氢氧化钠溶液去除硅粉的氧化层及杂质铝，步骤如下：1)、利用扫描电镜观察工业硅的微观组织，记录工业硅晶粒大小范围为30‑200微米；2)、将工业硅晶粒进行破碎，破碎程度为与工业硅晶粒大小相配的尺度范围为60‑400目的硅粉；3)、对工业硅粉用浓度为3％‑10％的氢氧化钠进行清洗10分钟‑1小时，去除硅粉表层的氧化层和杂质铝；4)、将粉料取出再用水清洗6‑7次，直到溶液呈中性；5)、再用浓度为3％‑10％盐酸进行酸洗5小时‑20小时，除去硅粉表面附着的游离铁；6)、将其放入王水中进一步清洗5小时‑20小时，除去硅粉颗粒上的难溶金属杂质；7)、再用水清洗6‑7次，直到溶液呈中性；8)、用浓度为3％‑10％的氢氟酸进行酸洗5小时‑20小时，去除金属复杂相；9)、用水清洗6‑7次，直到溶液呈中性，得到纯度为99.99％的硅材料。