| 发明名称 | 半导体装置,及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体装置，是以常断路型式使GaN系场效晶体管动作，并且增加通道电流密度。该半导体装置具有：含氮的3-5族化合物半导体的通道层、向所述通道层供给电子，并在其与所述通道层相对向的面的相反面具有沟部的电子供给层、形成在所述电子供给层的所述沟部的p型半导体层，以及与所述p型半导体层接触而形成，或者在与所述p型半导体层之间隔着中间层而形成的控制电极。 | ||
| 申请公布号 | CN101960576A | 申请公布日期 | 2011.01.26 |
| 申请号 | CN200980107379.3 | 申请日期 | 2009.03.18 |
| 申请人 | 住友化学株式会社 | 发明人 | 佐泽洋幸;西川直宏;栗田靖之;秦雅彦 |
| 分类号 | H01L21/338(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/337(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/808(2006.01)I;H01L29/812(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/338(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 朱丹 |
| 主权项 | 一种半导体装置，具有：3‑5族化合物半导体的通道层；载流子供给层，对所述通道层供给载流子，且在与所述通道层相对向的面的相反面具有沟部；半导体层，形成于所述载流子供给层的所述沟部，且表示出与所述载流子所表示的传导型相反的传导型；以及控制电极，设置在所述半导体层上。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||