通过四氯化硅的催化加氢脱卤制备三氯甲硅烷的工艺

摘要

本发明涉及一种在氢的存在下将SiCl4催化加氢脱卤形成HSiCl3的工艺，其中选自元素周期表(PTE)第2主族元素的至少一种金属或金属盐在300-1000℃的温度下被用作催化剂。特别地，所述催化剂是一种在这些条件下会形成稳定的金属氯化物的金属或金属盐。

主权项

一种通过在氢的存在下对四氯化硅SiCl4进行催化加氢脱卤而制备三氯甲硅烷HSiCl3的方法，其中钙、锶、钡、氯化钙、氯化锶、氯化钡或上述组分中至少两种的混合物在300‑1000℃的温度下被用作催化剂。