| 发明名称 | 制造半导体器件的方法和半导体器件 | ||
| 摘要 | 公开了一种制造半导体器件的方法，包括：提供绝缘载体(10)，例如氧化物晶片；在所述载体上形成在源极结构(12)与漏极结构(14)之间的沟道结构(20)；选择性地去除沟道结构(20)的一部分，从而在沟道结构(20)与载体(10)之间形成凹入部(22)；将器件外露于退火步骤，使得沟道结构(20’)获得实质上圆柱形形状；形成围绕实质上圆柱形沟道结构(20’)的限制层(40)；生长围绕限制层(40)的氧化层(50)；以及形成围绕氧化层(50)的栅极结构(60)。所述实质上圆柱形沟道结构20’可以包括半导体层30。还公开了相应的半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN101960570A | 申请公布日期 | 2011.01.26 |
| 申请号 | CN200980106290.5 | 申请日期 | 2009.02.17 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 吉尔贝托·库拉托拉;帕拉哈特·阿加瓦尔;马克·J·H·范达尔;维贾亚拉格哈万·马达克西拉 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：提供绝缘载体(10)；在所述载体(10)上提供在源极结构(12)和漏极结构(14)之间的沟道结构(20)；选择性地去除沟道结构(20)的一部分，从而在沟道结构(20)和载体(10)之间形成凹入部(22)；将器件外露于退火步骤，使得沟道结构(20’)获得实质上圆柱形形状；形成围绕实质上圆柱形沟道结构(20’)的限制层(40)；生长围绕限制层(40)的氧化层(50)；以及形成围绕氧化层(50)的栅极结构(60)。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||