一种聚马来酸酐薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种聚马来酸酐薄膜的制备方法。即将一定量的马来酸酐和镀膜基片载玻片置于等离子体沉积炉中，抽本底真空至2.0×10-3Pa后，升温50～200℃，调节腔室压力0～50Pa，与5～30w的功率下，放电5～30min,即可在载玻片上镀上一层均匀的聚马来酸酐薄膜。本发明通过马来酸酐固体升华和等离子体聚合的协同进行，简化了聚马来酸酐薄膜制备过程，所制备的薄膜结构均匀、致密，薄膜的厚度和表面的酸酐基团保留率可控，即所得的聚马来酸酐薄膜结构均匀，表面酸酐基团含量可控制在5.59×10-8～2.11×10-7mol/cm2范围内，薄膜厚度可控制在110～661nm范围内。

主权项

一种聚马来酸酐薄膜的制备方法，其特征在于在等离子体沉积炉中加热升华马来酸酐单体原料，采用低温等离子体技术，利用辉光放电把气态马来酸酐单体等离子化，使其产生活性自由基，这些活性自由基之间或自由基与单体之间发生加成聚合反应形成聚马来酸酐薄膜。