| 发明名称 | 热释放半导体封装 | ||
| 摘要 | 一种热释放半导体封装及其制造方法，以及包括该热释放半导体封装的显示装置。该热释放半导体封装包括膜、形成在膜上方的电极图案、安装在电极图案上方的半导体器件、以及形成在包括电极图案的半导体器件上方的第一热释放层，第一热释放层包括第一粘合剂和第一热释放材料。 | ||
| 申请公布号 | CN101924082A | 申请公布日期 | 2010.12.22 |
| 申请号 | CN201010207445.9 | 申请日期 | 2010.06.17 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司;金成振 | 发明人 | 金俊一;金成振 |
| 分类号 | H01L23/29(2006.01)I;H01L23/36(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/29(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 郑小军;陈昌柏 |
| 主权项 | 一种热释放半导体封装，包括：膜；电极图案，形成在所述膜上方；半导体器件，安装在所述电极图案上方；以及第一热释放层，形成在包括所述电极图案的所述半导体器件上方；其中所述第一热释放层包括粘合剂和热释放材料。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||