| 发明名称 | 具有过压保护的发光二极管芯片 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种发光二极管芯片，其具有用于防止过压的装置，缩写为ESD防护装置(2)。ESD防护装置(2)集成在支承体(3)中，在该支承体上存在发光二极管芯片的半导体层序列(1)，并且该ESD防护装置基于支承体(3)的确定区域的特定的掺杂。ESD防护装置(2)例如构建为齐纳二极管，其借助电导体结构(5)与半导体层序列(1)相连接。 | ||
| 申请公布号 | CN101904006A | 申请公布日期 | 2010.12.01 |
| 申请号 | CN200880122542.9 | 申请日期 | 2008.12.09 |
| 申请人 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发明人 | 约尔格·埃里希·佐尔格;斯特凡·格鲁贝尔;乔治·伯格纳 |
| 分类号 | H01L25/075(2006.01)I;H01L25/16(2006.01)I;H01L27/15(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/075(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 陈炜;许伟群 |
| 主权项 | 一种发光二极管芯片，其具有：半导体层序列(1)，该半导体层序列位于支承体(3)上；以及ESD防护装置(2)，其保护发光二极管芯片免受过压影响，其中ESD防护装置(2)通过对支承体(3)的确定区域的掺杂来产生。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||