| 发明名称 | 采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法，该方法采用金属有机化合物气相外延工艺，具体步骤如下：选择一衬底；在该衬底上生长一层非极性GaN薄膜；以及在该非极性GaN薄膜上生长非极性GaN基稀磁半导体材料。利用本发明，能够获得具有高居里温度(Tc)的高质量单晶相非极性GaN基稀磁半导体薄膜材料。此外，非极性GaN基稀磁半导体薄膜材料具有独特的面内各向异性分布特性(结构、光学、电学和磁学性质)，这些性质无论对基础研究还是应用研究都具有重大意义，本发明将开辟GaN基稀磁半导体研究的新领域。 | ||
| 申请公布号 | CN101899706A | 申请公布日期 | 2010.12.01 |
| 申请号 | CN201010201505.6 | 申请日期 | 2010.06.09 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 孙莉莉;闫发旺;张会肖;王军喜;王国宏;曾一平;李晋闽 |
| 分类号 | C30B25/18(2006.01)I;C30B25/16(2006.01)I | 主分类号 | C30B25/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法，其特征在于，该方法采用金属有机化合物气相外延工艺，具体步骤如下：选择一衬底；在该衬底上生长一层非极性GaN薄膜；以及在该非极性GaN薄膜上生长非极性GaN基稀磁半导体材料。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||